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Active
Leistung - Max
200mW
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Central Semiconductor Corp
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Bipolar RF Transistors |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Gain | - |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 200mW |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Transistor Type | NPN |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 1.9GHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-72 |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Gehäuse
-
MSL
-