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Bulk
Teilestatus
Obsolete
Leistung - Max
350mW
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Central Semiconductor Corp
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Bipolar RF Transistors |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Gain | - |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 350mW |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 600MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92 |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Gehäuse
-
MSL
-