FET Type
N-Channel
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Box
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Active
Leistung - Max
625 mW
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | JFETs |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Note | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Box |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 625 mW |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 500 mV @ 1 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
Gehäuse
-
MSL
-