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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 125 W |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-218-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-218 |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Aktueller - Sammlerabschaltung (Max) | - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 15A, 4V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Gehäuse
-
MSL
-