MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOICAuf LagerRoHS / Konformität

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DMTH6016LSD-13

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC

Note
Automotive
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Teilestatus
Active
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerDiodes Incorporated
NoteAutomotive
Serie-
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
HerstellerDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
QualifikationAEC-Q101
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
BasisproduktnummerDMTH6016
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)
Gehäuse
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MSL
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