Serie
eGaN®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
+6V, -5V
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | EPC |
| Note | - |
| Serie | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Discontinued at Digi-Key |
| Montageart | Surface Mount |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Basisproduktnummer | EPC20 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 5A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Gehäuse
-
MSL
-