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eGaN®
FET Type
N-Channel
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | EPC |
| Grade | - |
| Series | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Not For New Designs |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Package / Case | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
| Base Product Number | EPC20 |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Supplier Device Package | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
Gehäuse
-
MSL
-