Serie
eGaN®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | EPC |
| Note | - |
| Serie | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Montageart | Surface Mount |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | 7-PowerWQFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Basisproduktnummer | EPC2308 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | 7-QFN (3x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2103 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
Gehäuse
-
MSL
-