TRANS SJT 650V 4A TO257RoHS / Konformität

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2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO257

FET Type
N-Channel
Verpackung
Bulk
Teilestatus
Obsolete
Leistung - Max
47 W
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
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ESD-sicher
Antistatischer Schutz
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Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieJFETs
HerstellerGeneSiC Semiconductor
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungBulk
TeilestatusObsolete
Leistung - Max47 W
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartThrough Hole
Qualifikation-
Paket / FallTO-257-3
Resistance - RDS(On)425 mOhms
Betriebstemperatur210°C
Lieferanten-GerätepaketTO-257
Current Drain (Id) - Max10 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100 nA @ 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 600V
Gehäuse
-
MSL
-

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