FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Teilestatus
Obsolete
Leistung - Max
282 W
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | JFETs |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Note | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 282 W |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Resistance - RDS(On) | 50 mOhms |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 45 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.7 kV |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100 nA @ 1.7 kV |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3078pF @ 1200V |
Gehäuse
-
MSL
-