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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Schottky, Reverse Polarity
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Diodes |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Technologie | Schottky, Reverse Polarity |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-67 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | D-67 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 40 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 40 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 150 A |
Gehäuse
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MSL
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