Serie
F-RAM™
Verpackung
Tube
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Memory |
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | F-RAM™ |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Access Time | 130 ns |
| Speichergröße | 1Mbit |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilestatus | Obsolete |
| Memory Format | FRAM |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Clock Frequency | 3.4 MHz |
| Memory Interface | I2C |
| Spannung - Versorgung | 2V ~ 3.6V |
| Basisproduktnummer | FM24VN10 |
| Memory Organization | 128K x 8 |
| DigiKey Programmierbar | Not Verified |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
Gehäuse
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MSL
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