MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8RoHS / Konformität

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ISC0804NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8

Serie
OptiMOS™ 5
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerInfineon Technologies
Note-
SerieOptiMOS™ 5
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusObsolete
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 28µA
BasisproduktnummerISC0804N
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 60W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketPG-TDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 59A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
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