MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23RoHS / Konformität

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FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±8V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
BasisproduktnummerFDV303
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max)350mW (Ta)
Lieferanten-GerätepaketSOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C680mA (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

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