FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS-konform
Warum wir
Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage
Angebot anfordern
Kein Preis angezeigt? Senden Sie eine Anfrage, wir antworten umgehend.
MOQ1 Stk.
Professionelle Verpackung
Originalverpackung
Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett
Trockenmittelschutz
Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive
Vakuumversiegelung
Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt
Sichere Verpackung
Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | onsemi |
| Note | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Basisproduktnummer | IRL640 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1705 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Gehäuse
-
MSL
-