MOSFET N-CH 24V 80A DPAKRoHS / Konformität

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NTD80N02

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTube
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusObsolete
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerNTD80
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max)75W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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