RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BHAuf LagerRoHS / Konformität

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WP2806015UH

RF MOSFET GAN HEMT 28V 360BH

Gain
11.6dB
Frequenz
6GHz
Verpackung
Box
Technologie
GaN HEMT
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ESD-sicher
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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieRF FETs, MOSFETs
HerstellerWAVEPIA.,Co.Ltd
Gain11.6dB
Serie-
Frequenz6GHz
VerpackungBox
TechnologieGaN HEMT
TeilestatusActive
HerstellerWAVEPIA.,Co.Ltd
Noise Figure-
MontageartSurface Mount
Current - Test150 mA
Paket / Fall360BH
Power - Output8W
Voltage - Test28 V
Spannung - Nennspannung160 V
Aktuelle Bewertung (Ampere)-
Lieferanten-Gerätepaket360BH
Gehäuse
-
MSL
-

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