MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIPRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

ALD1102APAL

MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIP

Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
500mW
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
Série-
EmballageTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max500mW
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration2 P-Channel (Dual) Matched Pair
Type de montageThrough Hole
Colis / Cas8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 10µA
Numéro de produit de baseALD1102
Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs270Ohm @ 5V
Paquet de dispositif du fournisseur8-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Boîtier
-
MSL
-

Related Products