MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIPRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

ALD110808APCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIP

Série
EPAD®
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
SérieEPAD®
EmballageTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max500mW
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Type de montageThrough Hole
Colis / Cas16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id810mV @ 1µA
Numéro de produit de baseALD110808
Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
Paquet de dispositif du fournisseur16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12mA, 3mA
Boîtier
-
MSL
-

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