MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOICEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

ALD114904SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Série
EPAD®
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Depletion Mode
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
SérieEPAD®
EmballageTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureDepletion Mode
État de la pièceActive
Puissance - Max500mW
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id360mV @ 1µA
Numéro de produit de baseALD114904
Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12mA, 3mA
Boîtier
-
MSL
-

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