MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

ALD210808SCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Série
EPAD®, Zero Threshold™
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
SérieEPAD®, Zero Threshold™
EmballageTube
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceActive
Puissance - Max500mW
FabricantAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Numéro de produit de baseALD210808
Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Paquet de dispositif du fournisseur16-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Boîtier
-
MSL
-

Related Products