MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOICRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AO4800BL

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Obsolete
Puissance - Max
1.9W (Ta)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Puissance - Max1.9W (Ta)
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Numéro de produit de baseAO480
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6.9A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta)
Boîtier
-
MSL
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