MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOICRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AO4822_101

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Obsolete
Puissance - Max
2W
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageBulk
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Puissance - Max2W
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Numéro de produit de baseAO482
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds888pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Boîtier
-
MSL
-

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