MOSFET 2N-CH 4DFNEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AOC2870

MOSFET 2N-CH 4DFN

Série
AlphaMOS
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Not For New Designs
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

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Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SérieAlphaMOS
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceNot For New Designs
Puissance - Max1.4W
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas4-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Numéro de produit de baseAOC287
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Paquet de dispositif du fournisseur4-DFN (1.7x1.7)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Boîtier
-
MSL
-

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