AOC3878

MOSFET 2N-CH 12V 35A 10DFN

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
3.1W (Ta)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Scellage sous vide

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max3.1W (Ta)
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas10-SMD, No Lead
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Numéro de produit de baseAOC387
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 5A, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseur10-AlphaDFN (3.55x1.77)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
Boîtier
-
MSL
-

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