MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFNRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AON6530

MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN

FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

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Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR)
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceObsolete
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-PowerSMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Numéro de produit de baseAON653
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseur8-DFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1315 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.5A (Ta), 72A (Tc)
Boîtier
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MSL
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