MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFNRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AONP36320

MOSFET 2N-CH 30V 26A 8DFN

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
3.3W (Ta), 50W (Tc)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max3.3W (Ta), 50W (Tc)
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Numéro de produit de baseAONP363
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V, 3mOhm @ 20A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-DFN-EP (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V, 1650pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 100A (Tc), 27A (Ta), 103A (Tc)
Boîtier
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MSL
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