MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFNEn stockRoHS / Conformité

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AONY36356

MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Numéro de produit de baseAONY363
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 20A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-DFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
Boîtier
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MSL
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