MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOICEn stockRoHS / Conformité

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AOSD62666E

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceActive
Puissance - Max2.5W (Ta)
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Numéro de produit de baseAOSD62666
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds755pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
Boîtier
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MSL
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