MOSFET N-CH 600V 3.6A/18A 4DFNRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

AOV20S60

MOSFET N-CH 600V 3.6A/18A 4DFN

Série
aMOS™
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±30V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Note-
SérieaMOS™
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±30V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceNot For New Designs
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) @ Id4.1V @ 250µA
Numéro de produit de baseAOV20
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)8.3W (Ta), 278W (Tc)
Paquet de dispositif du fournisseur4-DFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1038 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta), 18A (Tc)
Boîtier
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MSL
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