BY25D40ESTIG(R)

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
FLASH - NOR
Access Time
7 ns
Taille de la mémoire
4Mbit
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantBYTe Semiconductor
Note-
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieFLASH - NOR
Access Time7 ns
Taille de la mémoire4Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
État de la pièceActive
Memory FormatFLASH
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clock Frequency120 MHz
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page3.6ms
Boîtier
-
MSL
-

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