BY25D40ESTIG(R)

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Packaging
Tape & Reel (TR)
Technology
FLASH - NOR
Access Time
7 ns
Memory Size
4Mbit
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
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Livraison mondiale
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Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantBYTe Semiconductor
Grade-
Series-
PackagingTape & Reel (TR)
TechnologyFLASH - NOR
Access Time7 ns
Memory Size4Mbit
Memory TypeNon-Volatile
Part StatusActive
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Qualification-
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clock Frequency120 MHz
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page3.6ms
Boîtier
-
MSL
-

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