BY25FQ16ESSIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Taille de la mémoire
16Mbit
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantBYTe Semiconductor
Note-
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieFLASH - NOR
Access Time5 ns
Taille de la mémoire16Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
État de la pièceActive
Memory FormatFLASH
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Boîtier
-
MSL
-

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