BY25Q32ESMIG(R)

32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
FLASH - NOR
Access Time
7 ns
Taille de la mémoire
32Mbit
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieMemory
FabricantBYTe Semiconductor
Note-
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieFLASH - NOR
Access Time7 ns
Taille de la mémoire32Mbit
Type de mémoireNon-Volatile
État de la pièceActive
Memory FormatFLASH
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas8-UFDFN Exposed Pad
Clock Frequency120 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Tension - Alimentation2.7V ~ 3.6V
Memory Organization4M x 8
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
Paquet de dispositif du fournisseur8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page100µs, 2.4ms
Boîtier
-
MSL
-

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