2N3819 TRE TIN/LEAD

8V 10MA 360MW TH JFET N CHANNEL

FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
360 mW
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieJFETs
FabricantCentral Semiconductor Corp
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Puissance - Max360 mW
FabricantCentral Semiconductor Corp
Type de montageThrough Hole
Qualification-
Colis / CasTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement-65°C ~ 150°C (TJ)
Paquet de dispositif du fournisseurTO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)25 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id8 V @ 2 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)2 mA @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8pF @ 15V
Boîtier
-
MSL
-

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