FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Box (TB)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
310 mW
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | JFETs |
| Fabricant | Central Semiconductor Corp |
| Note | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | 310 mW |
| Fabricant | Central Semiconductor Corp |
| Type de montage | Through Hole |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Paquet de dispositif du fournisseur | TO-92-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 30 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6 V @ 10 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 15V |
Boîtier
-
MSL
-