MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMC2710UV-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
460mW (Ta)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max460mW (Ta)
FabricantDiodes Incorporated
ConfigurationN and P-Channel Complementary
Type de montageSurface Mount
Colis / CasSOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Numéro de produit de baseDMC2710
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseurSOT-563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Boîtier
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MSL
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