MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SORoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMG4932LSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
État de la pièce
Obsolete
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceObsolete
Puissance - Max1.19W
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Numéro de produit de baseDMG4932LSD
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 9A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1932pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A
Boîtier
-
MSL
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