MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOPEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMG8822UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Note
Automotive
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
NoteAutomotive
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max870mW
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Type de montageSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Colis / Cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Numéro de produit de baseDMG8822
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseur8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds841pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Boîtier
-
MSL
-

Related Products