MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26En stockRoHS / Conformité

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DMG9926UDM-7

MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceActive
Puissance - Max980mW
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Type de montageSurface Mount
Colis / CasSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Numéro de produit de baseDMG9926
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseurSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A
Boîtier
-
MSL
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