MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363En stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
État de la pièceActive
Puissance - Max320mW
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Numéro de produit de baseDMN3190
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseurSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Boîtier
-
MSL
-

Related Products