MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Fabricant
Diodes Incorporated
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Numéro de produit de baseDMT3006
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseurPowerDI5060-8 (Type S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Boîtier
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MSL
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