MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOICEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

DMTH6016LSD-13

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC

Note
Automotive
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantDiodes Incorporated
NoteAutomotive
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
FabricantDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Colis / Cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Numéro de produit de baseDMTH6016
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
Paquet de dispositif du fournisseur8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)
Boîtier
-
MSL
-

Related Products