MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363RoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

PJT7808_R2_00001

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363

Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
État de la pièce
Active
Puissance - Max
350mW (Ta)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Scellage sous vide

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Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantEMO Inc.
Série-
EmballageTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
État de la pièceActive
Puissance - Max350mW (Ta)
FabricantEMO Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual)
Type de montageSurface Mount
Colis / Cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Numéro de produit de basePJT7808
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 500mA, 4.5V
Paquet de dispositif du fournisseurSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Boîtier
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MSL
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