Série
eGaN®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | EPC |
| Note | - |
| Série | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
| Numéro de produit de base | EPC20 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 40A, 5V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Die |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
Boîtier
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MSL
-