Série
eGaN®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Puissance - Max | - |
| Fabricant | EPC |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Colis / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Numéro de produit de base | EPC210 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
Boîtier
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MSL
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