Série
eGaN®
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
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Active
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Scellé usine, plateau ESD antistatique
Protection déshydratant
Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus
Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Puissance - Max | - |
| Fabricant | EPC |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Colis / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Numéro de produit de base | EPC211 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
Boîtier
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MSL
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