MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEn stockRoHS / Conformité

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EPC2111

MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE

Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
État de la pièce
Last Time Buy
Fabricant
EPC
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Conforme RoHS

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ParamètreValeur
CatégorieFET, MOSFET Arrays
FabricantEPC
Note-
Série-
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
État de la pièceLast Time Buy
Puissance - Max-
FabricantEPC
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / CasDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Numéro de produit de baseEPC211
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Paquet de dispositif du fournisseurDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Boîtier
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MSL
-

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