GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIEEn stockRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

Pourquoi nous choisir

Garantie qualité
Garantie qualité
Protection ESD
Protection antistatique
Livraison mondiale
Livraison rapide
Réponse rapide
RFQ rapide

Emballage professionnel

Emballage d'origine

Scellé usine, plateau ESD antistatique

Protection déshydratant

Carte indicateur d'humidité et gel de silice inclus

Scellage sous vide

Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

Emballage sécurisé

Mousse antivibration, étiquetage antichoc

ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantEPC
Note-
Série-
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
État de la pièceActive
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / CasDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 6mA
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Paquet de dispositif du fournisseurDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1790 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta)
Boîtier
-
MSL
-

Related Products