TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFNRoHS / Conformité

Les images sont fournies à titre indicatif

EPC2305ENGRT

TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN

Série
eGaN®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Fiche technique (PDF)
Conforme RoHS

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Scellé usine, plateau ESD antistatique

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Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote

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ParamètreValeur
CatégorieSingle FETs, MOSFETs
FabricantEPC
Note-
SérieeGaN®
FET TypeN-Channel
EmballageTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
État de la pièceDiscontinued at Digi-Key
Type de montageSurface Mount
Qualification-
Colis / Cas7-PowerWQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 11mA
Numéro de produit de baseEPC2305
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Paquet de dispositif du fournisseur7-QFN (3x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4165 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C102A (Tj)
Boîtier
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MSL
-

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