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eGaN®
FET Type
N-Channel
Emballage
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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+6V, -4V
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Scellage sous vide
Sac barrière d'humidité, rempli à l'azote
Emballage sécurisé
Mousse antivibration, étiquetage antichoc
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricant | EPC |
| Note | - |
| Série | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| État de la pièce | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Colis / Cas | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 500mA, 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Paquet de dispositif du fournisseur | Die |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21 pF @ 32.5 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Boîtier
-
MSL
-